系統(tǒng)的傳輸線脈沖(TLP)測(cè)試和分析功能符合ANSI/ESD STM5.5.1-2014測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。ES620系統(tǒng)能夠向器件注入高質(zhì)量矩形波脈沖，同時(shí)記錄流經(jīng)器件的電流和器件兩端電壓。測(cè)試結(jié)果能夠提供脈沖式IV曲線，使用戶能夠表征器件在納秒級(jí)的瞬態(tài)響應(yīng)。系統(tǒng)還具有器件失效自動(dòng)化檢測(cè)方法，例如漏電流測(cè)試，靜態(tài)IV曲線，熔斷和火花放電。

超快TLP (vf-TLP) 測(cè)試和分析功能符合ANSI/ESD SP5.5.2-2007測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。vf-TLP測(cè)試用于模擬CDM速度的靜電放電，捕捉高速（大約100ps上升沿）狀態(tài)下器件的電流和電壓。用戶可以通過(guò)這種方法測(cè)試器件的響應(yīng)速度和峰值電壓。

人體金屬模型(HMM) 測(cè)試和分析功能符合ANSI/ESD SP5. 6-2009測(cè)試方法，該方法可替代IEC61000-4-2中系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試方法，用于測(cè)試IC。當(dāng)測(cè)試低阻抗器件或者晶圓時(shí)，系統(tǒng)的該測(cè)試功能可以提供符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的理想波形，并且避免許多靜電放電槍測(cè)試時(shí)可能出現(xiàn)的問(wèn)題，例如可重復(fù)性差，放電位置不對(duì)，由未屏蔽繼電器產(chǎn)生的EMI互擾，需要設(shè)置大接地平板和耦合板。

系統(tǒng)有完整的軟件控制，可定制上升沿時(shí)間和脈沖寬度，與IVI儀器有良好的兼容性，體積小。

TLP傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn)：

配置靈活的TLP IV曲線脈沖測(cè)試分析系統(tǒng)

超便攜設(shè)計(jì)

超快測(cè)試速度，程序并行處理

目前測(cè)試版本有25A，50A和100A模塊

高質(zhì)量TLP脈沖

可擴(kuò)展的測(cè)試模塊包括vf-TLP，HMM，HBM和低壓浪涌

自動(dòng)化故障檢測(cè)方法包括：DC抽查 (電壓或電流)，靜態(tài)IV，熔融，擊穿，偏置源波動(dòng)以及客戶自定義

軟件控制的脈沖注入：?jiǎn)未?，連續(xù)，IV-曲線表征

上升沿選項(xiàng)：60ps至 50ns(取決于模塊)

脈沖寬度選項(xiàng)：1ns至3200ns(取決于模塊)

TLP傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用：

晶圓級(jí)ESD測(cè)試

PCB/封裝級(jí)ESD測(cè)試

系統(tǒng)/電路ESD測(cè)試

安全工作區(qū) (SOA) 測(cè)試

充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試

差分ESD脈沖注入

觸摸屏ITO微帶線熔斷測(cè)試

觸摸屏ITO微帶線火花放電測(cè)試

TLP注入電流脈沖符合并超過(guò)ANSI/ESD STM 5.5.1-2008標(biāo)準(zhǔn)

vf-TLP注入電流脈沖符合并超過(guò)ANSI/ESD SP5.5.2-2007標(biāo)準(zhǔn)

對(duì)于低阻抗器件，HMM的注入電流脈沖與IEC61000-4-2波形相符

規(guī)格：

ES620基于傳輸線脈沖的IV-曲線測(cè)試系統(tǒng)

ES620-HMM1擴(kuò)展的人體金屬模型模塊(DUT為短路，100?HMM，基于ANSI/ESD SP5.6-2009標(biāo)準(zhǔn))

ES620-HBM1擴(kuò)展的人體模型模塊(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014 R=1.5k?，C=100pF)